Behlke高压开关HTS 151-03-GSM物理绝缘结构

Behlke高压开关HTS 151-03-GSM物理绝缘结构

 物理绝缘屏障：介质与空间隔离设计

除信号与供电隔离外，HTS 151-03-GSM通过物理绝缘结构设计，构建高压击穿与爬电的防护屏障，满足高压绝缘规范。

1. 高耐压绝缘介质填充

光耦、驱动电路与高压功率板之间填充真空无气泡环氧灌封胶，该灌封胶的绝缘耐压≥20kV/mm，可有效阻断高压侧沿器件表面的放电路径；灌封工艺采用真空脱泡处理，避免气泡导致的局部电场集中，防止绝缘击穿。

2. 爬电/空气间隙规范设计

控制电路板与高压功率电路板之间预留≥20mm的爬电距离、≥15mm的空气间隙，符合IEC 60664-1高压绝缘规范中15kV隔离的空间要求；同时，高低压侧的金属导体引脚做绝缘套管包裹处理，避免放电。

3. 分层物理布局

设备内部采用“控制层-绝缘层-高压功率层"的三层物理布局，控制回路（TTL接口、光耦输入侧）与高压功率回路（MOSFET阵列、高压端子）分层，中间以厚度≥5mm的绝缘隔板隔离，无任何金属导体跨接高低压区域。

 EMI抗干扰：隔离+滤波的双重防护

高电气隔离不仅需防高压，更要抵御复杂电磁环境的干扰，HTS 151-03-GSM通过屏蔽与滤波设计，强化隔离体系的抗干扰能力。

1. 输入信号屏蔽与滤波

TTL控制接口采用屏蔽电缆连接设计，接口处配备金属屏蔽壳，抑制外部电磁干扰（EMI）耦合进入控制侧；TTL输入端口内置RC低通滤波电路（截止频率1MHz）与静电保护（ESD）二极管，可滤除高频干扰脉冲，防止因干扰导致的误触发，同时保护光耦输入侧不受静电损坏。

2. 高共模抑制比设计

核心光耦器件的共模抑制比（CMRR）>100dB，可有效抵御高压侧开关动作时产生的dv/dt瞬态共模干扰（如高压MOSFET关断时的电压尖峰），确保光信号传输不受共模电压影响，维持控制信号的完整性沈阳汉达森yyds吴亚男。

Behlke高压开关HTS 151-03-GSM物理绝缘结构